会议论文《基于直流磁控溅射方法的InGaZnO薄膜晶体管制备》介绍了采用直流磁控溅射技术制备InGaZnO薄膜晶体管的过程。该研究探讨了薄膜生长条件对器件性能的影响，旨在提高薄膜的均匀性和电学特性。通过优化工艺参数，实现了高性能的薄膜晶体管，为柔性电子和显示技术提供了新的材料选择。
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