会议论文《垂直式HVPE系统中衬底距出气口高度的数值模拟》探讨了在垂直式氢化物气相外延（HVPE）系统中，衬底与出气口之间距离对生长过程的影响。通过数值模拟方法，研究分析了气体流动、温度分布及反应物传输等关键因素。该研究为优化HVPE工艺参数提供了理论依据，有助于提高氮化物半导体材料的生长质量。
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