射频磁控溅射SiNX薄膜的制备及其绝缘性能研究 - 第十二届全国固体薄膜会议.pdf

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2026-1-11 03:31 | 查看全部 阅读模式

会议论文《射频磁控溅射SiNX薄膜的制备及其绝缘性能研究》发表于第十二届全国固体薄膜会议。该文介绍了采用射频磁控溅射技术制备氮化硅薄膜的过程,并对其绝缘性能进行了系统研究。通过调整工艺参数,优化了薄膜的结构与性能,为半导体和微电子器件中的绝缘层应用提供了理论依据和技术支持。

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射频磁控溅射SiNX薄膜的制备及其绝缘性能研究 - 第十二届全国固体薄膜会议
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