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快速退火的保温时间对射频磁控溅射制备的Bi_YIG在太赫兹频段损耗的影响 - 第11届全国固体薄膜会议.pdf

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会议论文《快速退火的保温时间对射频磁控溅射制备的Bi_YIG在太赫兹频段损耗的影响》探讨了退火工艺对Bi_YIG薄膜太赫兹性能的影响。研究通过调节退火保温时间，分析其对材料微结构及电磁特性的作用，结果表明适当的退火时间可有效降低太赫兹频段的介电损耗，为优化磁光材料性能提供了实验依据。

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快速退火的保温时间对射频磁控溅射制备的Bi_YIG在太赫兹频段损耗的影响 - 第11届全国固体薄膜会议.pdf

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磁控溅射, 赫兹, 退火, 频段, 损耗

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