单片微波集成电路无直流损耗型混频器MESFET模型的研究 - 中国电子学会第十五届信息论学术年会暨第一届全国网络编码学术年会.pdf

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2026-1-12 10:25 | 查看全部阅读模式

本文针对单片微波集成电路中的无直流损耗型混频器，研究了MESFET模型的特性。通过分析MESFET在混频器中的工作原理，提出了改进的模型以降低直流损耗，提高混频效率。该研究为高性能微波系统的设计提供了理论支持和技术参考，对推动相关领域的技术发展具有重要意义。

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