MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:47 | 查看全部 阅读模式

会议论文《MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究》探讨了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在不同基底上生长氧化锌缓冲层的工艺参数及其对材料性能的影响。研究还分析了退火处理对薄膜结构和电学性能的优化作用,为高性能光电器件和微波器件的制备提供了理论依据和技术支持。

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MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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