会议论文《不同剂量率下MOSFET的辐照响应和退火行为》探讨了在不同辐射剂量率条件下，MOSFET器件的性能变化及退火特性。研究通过实验分析了辐照后器件阈值电压、跨导等参数的变化规律，并评估了退火处理对性能恢复的效果。该文为电子器件在辐射环境中的可靠性设计提供了重要参考。
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