会议论文《低温退火对InAsSb材料结构特性的影响》发表于第十五届全国高技术陶瓷学术年会，探讨了低温退火工艺对InAsSb半导体材料结构性能的影响。研究通过X射线衍射和扫描电子显微镜等手段分析了退火前后材料的晶体质量与表面形貌变化，结果表明适当退火可有效改善材料的结晶质量，降低缺陷密度，为高性能红外探测器的制备提供理论支持。
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