磁控溅射AlN介质的AlGaN_GaN MIS-HEMT - 全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议.pdf

会议论文《磁控溅射AlN介质的AlGaN_GaN MIS-HEMT》探讨了基于磁控溅射技术制备的AlN介质在AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）中的应用。该研究旨在提升器件性能与稳定性，具有重要的学术价值和应用前景。

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