会议论文《AIN插入层对GaN上生长的AlzGa1-zN外延层表面形貌和微结构的影响》探讨了在GaN基底上生长AlzGa1-zN外延层时，引入AIN插入层对材料表面形貌及微结构的影响。研究结果表明，AIN插入层能有效改善外延层的结晶质量，减少缺陷密度，优化表面平整度，为高性能氮化物半导体器件的制备提供了重要参考。
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