会议论文《ZnO基GaN材料的生长初探》探讨了在ZnO衬底上生长GaN材料的可行性与关键技术。研究通过实验分析了生长条件对材料性能的影响,为高性能氮化镓器件的制备提供了理论依据和技术支持。该成果对于推动宽禁带半导体材料的发展具有重要意义。
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