ZnO基GaN材料的生长初探 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 08:19 | 查看全部 阅读模式

会议论文《ZnO基GaN材料的生长初探》探讨了在ZnO衬底上生长GaN材料的可行性与关键技术。研究通过实验分析了生长条件对材料性能的影响,为高性能氮化镓器件的制备提供了理论依据和技术支持。该成果对于推动宽禁带半导体材料的发展具有重要意义。

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ZnO基GaN材料的生长初探 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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