会议论文《Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究》探讨了通过掺杂Mn元素改善GaN基材料的磁性性能。研究采用分子束外延技术制备样品，并通过XRD、PL和磁学测试分析其结构与磁性特性。结果表明，Mn的引入有效增强了材料的室温铁磁性，为稀磁半导体在自旋电子器件中的应用提供了理论依据和技术支持。
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