a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 08:21 | 查看全部 阅读模式

会议论文《a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究》探讨了a面GaN材料在阴极荧光激发下的强度特性。研究通过实验分析了不同激发条件对发光性能的影响,揭示了材料结构与发光效率之间的关系,为GaN基光电器件的优化提供了理论依据和技术支持。

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a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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