会议论文《TaC坩埚制备及在AlN单晶生长中的应用》介绍了碳化钽（TaC）坩埚的制备方法及其在氮化铝（AlN）单晶生长中的应用。研究通过优化制备工艺，提高了TaC坩埚的热稳定性与化学惰性，有效改善了AlN单晶的质量和生长效率。该成果为高性能半导体材料的制备提供了新思路。
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