会议论文《SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED》介绍了采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在碳化硅（SiC）衬底上生长氮化镓（GaN）基材料，并制备蓝光发光二极管（LED）的研究成果。该研究探讨了外延生长工艺对LED性能的影响，为高亮度、高效率的LED器件开发提供了重要参考。
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