会议论文《Si基高k介质材料Er2O3的分子束外延生长》介绍了在硅基底上通过分子束外延技术生长铒氧化物（Er2O3）薄膜的研究。该研究旨在探索高性能高k介质材料的制备方法，以满足半导体器件对介电性能的需求。论文详细分析了生长条件对材料结构和性能的影响，为未来集成电路的发展提供了重要参考。
文档为pdf格式，0.83MB，总共7页。
举报
