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SiC_SiN_Si材料的APCVD生长及表征 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 08:05 | 查看全部阅读模式

会议论文《SiC_SiN_Si材料的APCVD生长及表征》介绍了采用常压化学气相沉积（APCVD）方法在硅基底上生长SiC_SiN_Si复合材料的工艺过程。研究通过SEM、XRD和FTIR等手段对材料的结构和成分进行了表征，分析了生长参数对材料性能的影响，为高性能半导体器件的制备提供了理论依据和技术支持。

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SiC_SiN_Si材料的APCVD生长及表征 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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