Ⅲ-V族化合物半导体光电探测器的新进展 - 2008年中国国际光电周.pdf

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2026-1-12 08:23 | 查看全部 阅读模式

会议论文《Ⅲ-V族化合物半导体光电探测器的新进展 - 2008年中国国际光电周》介绍了Ⅲ-V族化合物半导体在光电探测器领域的最新研究成果。文章涵盖了材料生长、器件结构优化及性能提升等方面,重点分析了其在高速光通信和成像系统中的应用潜力。研究为推动高性能光电探测器的发展提供了理论支持和技术参考。

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Ⅲ-V族化合物半导体光电探测器的新进展 - 2008年中国国际光电周
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