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SiC基AlGaN_GaN HEMTs外延工艺研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 08:05 | 查看全部阅读模式

会议论文《SiC基AlGaN_GaN HEMTs外延工艺研究》探讨了在碳化硅衬底上生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的外延技术。研究分析了不同生长参数对材料质量的影响，旨在提高器件性能与可靠性。该成果对高性能功率电子器件的发展具有重要意义。

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SiC基AlGaN_GaN HEMTs外延工艺研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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