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P型In0.18Ga0.80N的Ni_Au欧姆接触研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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会议论文《P型In0.18Ga0.80N的Ni_Au欧姆接触研究》探讨了在P型In0.18Ga0.80N材料上制备Ni_Au欧姆接触的工艺与性能。研究通过实验分析了不同退火条件对接触电阻的影响，优化了金属层结构，提高了接触质量。该成果对提升氮化物半导体器件性能具有重要意义，为相关领域的应用提供了理论支持和技术参考。

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P型In0.18Ga0.80N的Ni_Au欧姆接触研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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