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Ni_Au与Al0.245Ga0.755N间插薄铝层后肖特基结的漏电机制 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:51 | 查看全部阅读模式

本文研究了在Ni_Au与Al0.245Ga0.755N之间插入薄铝层后形成的肖特基结的漏电机制。通过实验分析，揭示了铝层厚度对漏电流的影响，探讨了界面缺陷和电场分布对器件性能的作用。研究结果为优化氮化镓基肖特基二极管的性能提供了理论依据和技术支持。

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Ni_Au与Al0.245Ga0.755N间插薄铝层后肖特基结的漏电机制 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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