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SiO2_SiC界面过渡区结构研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 08:04 | 查看全部阅读模式

会议论文《SiO2_SiC界面过渡区结构研究》探讨了SiO2与SiC界面的微观结构特性，分析了界面过渡区的形成机制及其对器件性能的影响。该研究通过先进表征技术，揭示了界面处的化学组成和晶体结构变化，为优化SiC基器件的界面质量提供了理论依据和技术支持。

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SiO2_SiC界面过渡区结构研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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