会议论文《NMOS器件ESD特性模拟》由中国电子学会第十四届青年学术年会发表，主要研究NMOS器件在静电放电（ESD）条件下的电气特性。通过仿真方法分析了器件结构对ESD性能的影响，为提高集成电路的抗静电能力提供了理论依据和技术支持。
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