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SiGe合金单晶生长及性能研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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会议论文《SiGe合金单晶生长及性能研究》发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该文系统探讨了SiGe合金单晶的生长工艺及其物理性能，分析了不同生长条件对材料结构和电学特性的影响，为高性能半导体器件的开发提供了理论依据和技术支持。

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SiGe合金单晶生长及性能研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 合金, 化合物, 微波, 光电

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