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Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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会议论文《Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响》探讨了硅掺杂对n型Al0.5Ga0.5N材料电学性能的影响。研究通过实验分析了不同掺杂浓度下材料的导电特性，为优化氮化铝镓基半导体器件性能提供了理论依据和技术支持。

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Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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