会议论文《X波段大功率GaN HEMT内匹配器件研制》介绍了针对X波段应用的大功率氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）内匹配器件的研究。该研究通过优化器件结构和匹配电路设计，提高了器件的输出功率和效率，适用于高频大功率微波应用。论文在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，展示了我国在宽禁带半导体器件领域的最新进展。
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