会议论文《一种基于SOI的高速槽栅LIGBT器件》介绍了针对功率半导体器件的新型结构设计。该研究利用SOI（绝缘体上硅）技术，提出了一种高速槽栅LIGBT（横向绝缘栅双极型晶体管）器件，旨在提高开关速度和降低导通损耗。通过优化沟槽结构和电场分布，该器件在高频应用中表现出优异性能，为高性能功率集成电路的发展提供了新思路。
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