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PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:57 | 查看全部阅读模式

会议论文《PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析》探讨了通过物理气相传输法（PVT）制备AlN单晶过程中存在的杂质与缺陷问题。研究分析了不同生长条件对晶体质量的影响，揭示了杂质元素的来源及缺陷结构特征，为提高AlN单晶纯度和性能提供了重要参考。

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PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 杂质, 化合物, 微波, 光电

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