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Mg含量对p型MgZnO性能的影响 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:48 | 查看全部阅读模式

会议论文《Mg含量对p型MgZnO性能的影响》探讨了MgZnO材料中Mg含量变化对p型导电性能的影响。研究通过实验分析表明，适量增加Mg含量可有效改善材料的空穴迁移率和电学性能，为开发高性能p型半导体器件提供了理论依据和技术支持。

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Mg含量对p型MgZnO性能的影响 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 化合物, 微波, 光电, 十五届

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