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SiC衬底氮化镓基HEMT结构材料与器件 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 08:04 | 查看全部阅读模式

会议论文《SiC衬底氮化镓基HEMT结构材料与器件》探讨了基于SiC衬底的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的材料特性与器件性能。研究聚焦于结构设计、生长工艺及电学性能优化，旨在提升器件的功率密度与工作频率。该文为高性能射频与功率电子器件的发展提供了理论支持与技术参考。

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SiC衬底氮化镓基HEMT结构材料与器件 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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器件, 衬底, 氮化, 化合物, 微波

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