文档名：硅衬底温度对电子束蒸发钛薄膜性能的影响
摘要：采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜.采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得Ti薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力.结果表明,随着衬底温度从25℃升高到200℃,Ti薄膜的厚度、方块电阻和残余应力逐渐降低;表面粗糙度先减小后增大,镜面反射率则先升高后降低.
Abstract：Tifilmswerepreparedonsurfaceofsiliconsubstratebymeansofelectronbeamevapora-tion.Thethickness,surfaceroughness,specularreflectance,squareresistance,andresidualstressofTifilmsobtainedatdifferentsiliconsubstratetemperaturewereanalyzedbystepprofiler,atomicforcemicroscope,reflectivitytester,fourproberesistancetester,andstresstester,respectively.Theresultsshowedthatthethickness,squareresistance,andresidualstressofTifilmsaredecreasedgraduallywiththeincreasingofsiliconsubstratetemperaturefrom25℃to200℃.Thesurfaceroughnessde-creasesfirstandthenincreaseswhilethespecularreflectanceincreasesfirstandthendecreaseswiththeincreasingofsiliconsubstratetemperature.
作者：李兆营 李萌萌Author：LiZhaoying LiMengmeng
作者单位：安徽光智科技有限公司,安徽滁州239000
刊名：电镀与精饰
Journal：Plating&Finishing
年，卷(期)：2024, 46(3)
分类号：TN305.8
关键词：电子束蒸发 硅衬底温度 钛薄膜 方块电阻 残余应力 表面粗糙度 镜面反射率
Keywords：electronbeamevaporation siliconsubstratetemperature titaniumfilm squareresis-tance residualstress surfaceroughness specularreflectance
机标分类号：TN304.055TB383O484
在线出版日期：2024年3月22日
基金项目：硅衬底温度对电子束蒸发钛薄膜性能的影响[
期刊论文] 电镀与精饰--2024, 46(3)李兆营 李萌萌采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜.采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得Ti薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力.结果表明,随着衬底...参考文献和引证文献
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