论文《InGaN基超辐射二极管》介绍了基于InGaN材料的超辐射二极管的研究进展。该器件具有高输出功率和宽谱特性,适用于光通信和传感等领域。文章分析了结构设计、材料生长及性能优化方法,为高性能氮化物光电器件的发展提供了理论支持和技术参考。
举报