本文针对开盒即用半绝缘InP单晶衬底表面残留硅浓度高的问题，提出了一种有效的降低方法。通过优化化学机械抛光工艺和表面清洗流程，显著减少了表面硅杂质的残留。实验结果表明，该方法能有效提高InP衬底的电学性能和器件可靠性，对半导体器件制造具有重要指导意义。
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