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Ge衬底上MOCVD生长GaInP_InGaAs研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

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2025-12-14 21:06 | 查看全部阅读模式

论文《Ge衬底上MOCVD生长GaInP_InGaAs研究》探讨了在Ge衬底上通过MOCVD技术生长GaInP与InGaAs材料的工艺和性能。研究分析了生长条件对材料质量的影响，为高性能光电子器件提供了理论支持和技术参考。该成果对于发展高效能、低成本的半导体器件具有重要意义。

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Ge衬底上MOCVD生长GaInP_InGaAs研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议

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衬底, 学术会议, 固体, 薄膜, 生长

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