原子层沉积Al2O3薄膜与4H-SiC衬底界面的退火研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

182 0

2025-12-14 21:48 | 查看全部阅读模式

本文研究了原子层沉积Al2O3薄膜与4H-SiC衬底界面在退火过程中的变化。通过分析不同退火温度下界面结构和电学性能的变化，探讨了退火对界面质量的影响。结果表明，适当退火可以有效改善界面特性，降低界面缺陷密度，提高器件性能。该研究为优化Al2O3/4H-SiC界面提供了理论依据和技术支持。

文档为pdf格式，1.09MB，总共3页。