重掺杂Te对GaAs薄膜晶格和发光特性的影响 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

论文《重掺杂Te对GaAs薄膜晶格和发光特性的影响》探讨了在GaAs薄膜中引入高浓度碲（Te）掺杂后对其晶格结构和光学性质的影响。研究通过实验分析发现，重掺杂Te会改变薄膜的晶格常数，并影响其发光特性。该成果为优化GaAs基半导体材料的性能提供了理论依据和技术支持。

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2025-12-14 20:32 上传 重掺杂Te对GaAs薄膜晶格和发光特性的影响 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

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