在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2_6H-SiC异质结 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

查看全部 · 2025-12-14 22:07

本文介绍了在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2/6H-SiC异质结的研究。通过特定的沉积和退火工艺，成功实现了β-FeSi2薄膜在6H-SiC上的外延生长。研究分析了异质结的结构与光电特性，为开发新型光电器件提供了理论依据和技术支持。

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