GaInP_GaAs_InGaAs倒置三结太阳电池中晶格失配In0.27Ga0.73As材料制备与性质研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf

论文《GaInP_GaAs_InGaAs倒置三结太阳电池中晶格失配In0.27Ga0.73As材料制备与性质研究》介绍了在倒置三结太阳电池中，针对晶格失配问题所采用的In0.27Ga0.73As材料的制备方法及其物理性质。通过优化生长条件，有效缓解了晶格失配带来的缺陷，提升了器件性能。该研究为高效多结太阳能电池的发展提供了理论依据和技术支持。

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