论文《生长环境对SiC衬底上外延石墨烯的电性能影响研究》探讨了不同生长条件下，SiC衬底上外延石墨烯的电性能变化。研究通过控制生长温度、气氛和时间等参数，分析其对石墨烯载流子迁移率和电阻率的影响。结果表明，优化生长环境可显著提升石墨烯的电学性能，为高质量石墨烯制备提供了理论依据和技术参考。
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