论文《单晶Tm2O3薄膜的制备与F-N隧穿机制》介绍了通过特定方法制备高质量单晶Tm2O3薄膜的过程,并研究了其在电场作用下的F-N隧穿特性。该研究对理解稀土氧化物在纳米电子器件中的应用具有重要意义,为新型半导体材料的开发提供了理论依据和技术支持。
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