AlGaN_GaN异质结场效应晶体管夹断电压与阈值电压的关系 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 07:17 | 查看全部阅读模式

会议论文《AlGaN_GaN异质结场效应晶体管夹断电压与阈值电压的关系》探讨了AlGaN/GaN异质结中夹断电压与阈值电压之间的物理关系。研究通过实验和理论分析，揭示了两种电压参数在器件工作特性中的相互影响，为优化器件设计提供了重要依据。该成果对提升GaN基功率电子器件性能具有重要意义。

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