会议论文《湿化学腐蚀法研究GaN薄膜中的位错》探讨了利用湿化学腐蚀技术分析GaN薄膜中位错结构的方法。该研究通过不同腐蚀剂对GaN表面的处理，揭示了位错在腐蚀后的形貌特征，为评估GaN材料质量提供了有效手段。文章在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，对宽禁带半导体材料的研究具有重要意义。
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