第二类锑化镓(GaSb)量子点对2DEG低温输运寿命和量子寿命的影响研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 17:17 | 查看全部 阅读模式

会议论文《第二类锑化镓(GaSb)量子点对2DEG低温输运寿命和量子寿命的影响研究》探讨了GaSb量子点对二维电子气(2DEG)在低温下的输运特性及量子寿命的影响。研究通过实验分析表明,量子点结构显著改变了2DEG的载流子行为,对输运寿命和量子寿命产生重要影响,为高性能半导体器件的设计提供了理论依据。

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第二类锑化镓(GaSb)量子点对2DEG低温输运寿命和量子寿命的影响研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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