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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 17:09 | 查看全部阅读模式

会议论文《离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究》探讨了大直径SI-GaAs材料在离子注入后的电学性能变化。该研究针对半导体器件的特性优化提供了重要数据支持，对提升器件性能具有重要意义。论文发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议，展示了最新的研究成果和技术进展。

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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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