会议论文《立式HVPE反应器生长GaN模拟研究》发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该研究通过数值模拟方法，分析了立式氢化物气相外延（HVPE）反应器中氮化镓（GaN）的生长过程，探讨了温度场、气体流动及反应动力学对晶体质量的影响，为优化GaN生长工艺提供了理论依据和技术支持。
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