会议论文《真空高阻区熔硅单晶少子寿命的研究》发表于第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议。该研究探讨了在真空高阻区熔条件下制备的硅单晶中少子寿命的特性，分析了其对半导体器件性能的影响，为提高硅基器件的效率和稳定性提供了理论依据和技术支持。
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