离子注入AlN单晶的荧光谱分析 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 17:09 | 查看全部 阅读模式

会议论文《离子注入AlN单晶的荧光谱分析》探讨了通过离子注入技术对AlN单晶进行改性后的荧光特性。研究利用光致发光谱分析方法,揭示了不同注入条件对AlN光学性能的影响。该成果为AlN在深紫外发光器件中的应用提供了理论依据和技术支持。

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离子注入AlN单晶的荧光谱分析 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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