会议论文《离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用》探讨了离子注入技术在4H-SiC半导体器件制造中的关键作用。文章分析了不同离子种类和能量对器件性能的影响，重点介绍了其在掺杂控制、界面质量优化方面的优势。研究为高性能、高温和高频SiC器件的开发提供了重要参考，具有广泛的工程应用价值。
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