不同高场应力下SiN钝化的AlGaN_GaN HEMT器件的性能退化 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

会议论文《不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化》探讨了在高场应力作用下，采用SiN钝化的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能变化。研究通过实验分析了不同应力条件对器件电学特性的影响，揭示了退化机制，为提高器件可靠性提供了理论依据和技术参考。

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不同高场应力下SiN钝化的AlGaN_GaN HEMT器件的性能退化 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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