会议论文《采用晶格异变缓冲层在GaAs上生长的InP外延层性质的研究》探讨了通过引入晶格异变缓冲层来改善InP在外延生长过程中与GaAs基底之间的晶格失配问题。该研究对提高InP外延层的质量和性能具有重要意义，为高性能光电子器件的制备提供了理论支持和技术参考。
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